Qualcomm sẽ trình làng chip Snapdragon 8 Gen 4, có thể được trang bị cho các flagship dòng Samsung Galaxy S25, tại Hội nghị thượng đỉnh Snapdragon vào tháng 10 năm nay.
Theo nhiều báo cáo, SoC sắp tới sẽ mang lại một bước nhảy vọt về hiệu suất so với phiên bản tiền nhiệm của nó là Snapdragon 8 Gen 3 hiện được sử dụng bên trong Galaxy S24 Ultra. Một rò rỉ trước đó đã tuyên bố rằng Snapdragon 8 Gen 4 sẽ đạt được số điểm lõi đơn là 2,800 điểm trên Geekbench, một bước nhảy vọt so với số điểm 2,100 điểm của Snapdragon 8 Gen 3. Hôm nay, chúng ta còn có nhiều tin tức thú vị hơn về SoC cao cấp sắp ra mắt của Qualcomm.
Chip Snapdragon 8 Gen 4 có hiệu năng siêu mạnh
Theo rò rỉ mới từ Trung Quốc, Snapdragon 8 Gen 4 sẽ có thể đạt được điểm lõi đơn là 3,500 điểm. Nếu điều đó trở thành sự thật thì đây sẽ là tin chấn động. Các rò rỉ trước đó cho thấy chipset Apple A18, dự kiến sẽ trang bị cho các mẫu iPhone 16 Pro chỉ đạt 3,300 điểm trong bài kiểm tra tương tự. Nguồn tin hôm nay còn cho biết hiệu năng đa lõi và GPU của Snapdragon 8 Gen 4 cũng sẽ vượt trội so với Apple A18.
Điều đó cũng có nghĩa là Snapdragon 8 Gen 4 sẽ vượt trội Apple A18 về mặt hiệu năng, cho phép dòng Galaxy S25 đánh bại iPhone 16 Pro. Nếu thông tin rò rỉ là sự thật, lần đầu tiên một chiếc điện thoại thông minh của Samsung sẽ có thể đánh bại iPhone về hiệu năng lõi đơn.
Snapdragon 8 Gen 4 dự kiến sẽ có các lõi chính Oryon và lõi Pheonix hiệu năng cao. Theo một rò rỉ khác, Qualcomm sẽ sử dụng lõi Oryon có xung nhịp lên tới 4.3 GHz, một con số chưa từng có trong ngành di động.
Người tiết lộ thông tin này cũng tuyên bố rằng chipset có thể tiêu thụ điện năng 1.3V để đạt được các tần số đó, và điều này có thể gây ra một số vấn đề, bao gồm quá nhiệt cũng như điều tiết nhiệt. Đồng thời Snapdragon 8 Gen 4 sẽ là chipset đầu tiên của Qualcomm sử dụng N3E (quá trình chế tạo 3nm). Cùng chờ xem nhé!
Theo nhiều báo cáo, SoC sắp tới sẽ mang lại một bước nhảy vọt về hiệu suất so với phiên bản tiền nhiệm của nó là Snapdragon 8 Gen 3 hiện được sử dụng bên trong Galaxy S24 Ultra. Một rò rỉ trước đó đã tuyên bố rằng Snapdragon 8 Gen 4 sẽ đạt được số điểm lõi đơn là 2,800 điểm trên Geekbench, một bước nhảy vọt so với số điểm 2,100 điểm của Snapdragon 8 Gen 3. Hôm nay, chúng ta còn có nhiều tin tức thú vị hơn về SoC cao cấp sắp ra mắt của Qualcomm.
Theo rò rỉ mới từ Trung Quốc, Snapdragon 8 Gen 4 sẽ có thể đạt được điểm lõi đơn là 3,500 điểm. Nếu điều đó trở thành sự thật thì đây sẽ là tin chấn động. Các rò rỉ trước đó cho thấy chipset Apple A18, dự kiến sẽ trang bị cho các mẫu iPhone 16 Pro chỉ đạt 3,300 điểm trong bài kiểm tra tương tự. Nguồn tin hôm nay còn cho biết hiệu năng đa lõi và GPU của Snapdragon 8 Gen 4 cũng sẽ vượt trội so với Apple A18.
Điều đó cũng có nghĩa là Snapdragon 8 Gen 4 sẽ vượt trội Apple A18 về mặt hiệu năng, cho phép dòng Galaxy S25 đánh bại iPhone 16 Pro. Nếu thông tin rò rỉ là sự thật, lần đầu tiên một chiếc điện thoại thông minh của Samsung sẽ có thể đánh bại iPhone về hiệu năng lõi đơn.
Snapdragon 8 Gen 4 dự kiến sẽ có các lõi chính Oryon và lõi Pheonix hiệu năng cao. Theo một rò rỉ khác, Qualcomm sẽ sử dụng lõi Oryon có xung nhịp lên tới 4.3 GHz, một con số chưa từng có trong ngành di động.
Người tiết lộ thông tin này cũng tuyên bố rằng chipset có thể tiêu thụ điện năng 1.3V để đạt được các tần số đó, và điều này có thể gây ra một số vấn đề, bao gồm quá nhiệt cũng như điều tiết nhiệt. Đồng thời Snapdragon 8 Gen 4 sẽ là chipset đầu tiên của Qualcomm sử dụng N3E (quá trình chế tạo 3nm). Cùng chờ xem nhé!