Bui Kieu My
Bùi Kiều My
Samsung dự kiến sẽ ra mắt điện thoại kế nhiệm của Galaxy S23 FE trong những tháng tới. Gần đây, trang tin MySmartPrice đã phát hiện ra biến thể dành cho thị trường Hàn Quốc của Samsung Galaxy S24 FE trên hệ thống cơ sở dữ liệu Geekbench.
Cơ sở dữ liệu Geekbench tiết lộ rằng biến thể Galaxy S24 FE dành cho thị trường Hàn Quốc sắp tới với số model SM-S721N sẽ sớm được ra mắt. Galaxy S24 FE đạt được 1.625 điểm trong bài kiểm tra đơn nhân và 5.698 điểm trong thử nghiệm đa nhân.
Điện thoại có một bo mạch chủ với số hiệu s5e9945 và kiến trúc CPU 10 nhân, tốc độ xung nhịp tối đa 3.11 GHz. Chip xử lý được kết hợp với RAM 8 GB, GPU Samsung Xclipse 940. Các thông số trên Geekbench xác nhận rằng Samsung sẽ trang bị cho Galaxy S24 FE với biến thể của chip Exynos 2400 giảm xung nhịp.
Galaxy S24 FE được phát hiện trên hệ thống dữ liệu của Geekbench (Ảnh: My Smart Price)
Để tham khảo, tốc độ xung nhịp trên các lõi CPU của chip Exynos 2400 bao gồm: 1 lõi Cortex-X4 tốc độ 3.2 GHz, 2 lõi Cortex-A720 xung nhịp 2.9 GHz trong khi 3 lõi Cortex-A720 khác có xung nhịp 2.6 GHz và 4 lõi Cortex-A520 xung nhịp 1.95 GHz. Ta có thể thấy, các lõi Cortex-A720 và Cortex-X4 của Exynos 2400e chạy ở tốc độ xung nhịp thấp hơn một chút.
Thông số cấu hình Samsung Galaxy S24 FE (dự kiến)
Báo cáo từ Android Headlines đã gợi ý rằng Galaxy S24 FE sẽ được trang bị chip Exynos 2400e. Galaxy S24 FE được cho là chạy One UI 6.1.1 dựa trên Android 14 ngay khi xuất xưởng với các tính năng Galaxy AI. Máy có viên pin 4.565 mAh với thời lượng pin lên đến 78 giờ để phát nhạc.
Galaxy S24 FE dự kiến có thời lượng pin lên đến 78 giờ để phát nhạc (Ảnh: Android Headlines)
Thiết lập 3 camera sau của thiết bị sẽ bao gồm: Camera chính 50 MP, camera siêu rộng 12 MP và camera tele 8 MP với zoom quang 3x. Thiết bị sẽ được trang bị màn hình AMOLED 6.7 inch với độ phân giải Full HD+ và tốc độ làm mới 120 Hz.
Cơ sở dữ liệu Geekbench tiết lộ rằng biến thể Galaxy S24 FE dành cho thị trường Hàn Quốc sắp tới với số model SM-S721N sẽ sớm được ra mắt. Galaxy S24 FE đạt được 1.625 điểm trong bài kiểm tra đơn nhân và 5.698 điểm trong thử nghiệm đa nhân.
Điện thoại có một bo mạch chủ với số hiệu s5e9945 và kiến trúc CPU 10 nhân, tốc độ xung nhịp tối đa 3.11 GHz. Chip xử lý được kết hợp với RAM 8 GB, GPU Samsung Xclipse 940. Các thông số trên Geekbench xác nhận rằng Samsung sẽ trang bị cho Galaxy S24 FE với biến thể của chip Exynos 2400 giảm xung nhịp.
Galaxy S24 FE được phát hiện trên hệ thống dữ liệu của Geekbench (Ảnh: My Smart Price)
Để tham khảo, tốc độ xung nhịp trên các lõi CPU của chip Exynos 2400 bao gồm: 1 lõi Cortex-X4 tốc độ 3.2 GHz, 2 lõi Cortex-A720 xung nhịp 2.9 GHz trong khi 3 lõi Cortex-A720 khác có xung nhịp 2.6 GHz và 4 lõi Cortex-A520 xung nhịp 1.95 GHz. Ta có thể thấy, các lõi Cortex-A720 và Cortex-X4 của Exynos 2400e chạy ở tốc độ xung nhịp thấp hơn một chút.
Thông số cấu hình Samsung Galaxy S24 FE (dự kiến)
Báo cáo từ Android Headlines đã gợi ý rằng Galaxy S24 FE sẽ được trang bị chip Exynos 2400e. Galaxy S24 FE được cho là chạy One UI 6.1.1 dựa trên Android 14 ngay khi xuất xưởng với các tính năng Galaxy AI. Máy có viên pin 4.565 mAh với thời lượng pin lên đến 78 giờ để phát nhạc.
Galaxy S24 FE dự kiến có thời lượng pin lên đến 78 giờ để phát nhạc (Ảnh: Android Headlines)
Thiết lập 3 camera sau của thiết bị sẽ bao gồm: Camera chính 50 MP, camera siêu rộng 12 MP và camera tele 8 MP với zoom quang 3x. Thiết bị sẽ được trang bị màn hình AMOLED 6.7 inch với độ phân giải Full HD+ và tốc độ làm mới 120 Hz.